直入云霄意思及造句

导读：　直入云霄意思及造句篇一《入云霄直指太空 嫦娥舞圆中国梦》 ...

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直入云霄意思及造句篇一
《入云霄直指太空 嫦娥舞圆中国梦》

入云霄直指太空 嫦娥舞圆中国梦

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来源：《经济与法治》2014年第02期

2013年，我国航天事业取得了辉煌的成就。高分、遥感、通信、试验、实践等卫星的成功发射，广泛服务于我国国计民生、技术试验、科学实验等等领域，并带动了电子信息技术、材料科学等相关学科的发展。

嫦娥3号任务的圆满成功，首次实现了我国航天器在地外天体软着陆和巡视勘察，标志着我国探月工程第二步战略目标的全面实现，树立了中国航天事业新的里程碑。

2014年1月6日，习近平会见嫦娥三号任务参研参试人员代表，强调嫦娥三号任务是是货真价实、名副其实的中国创造。

人造卫星捷报频传

◆ 2013年3月初，我国研制的委内瑞拉遥感卫星1号正式完成在轨交付。这是中国航天出口的第一颗在轨交付的遥感卫星，实现了我国遥感卫星出口零的突破；

◆ 2013年4月26日，我国成功发射了国家重大科技专项——高分辨率对地观测系统的首发星高分1号卫星以及3颗微小卫星，首次实现我国 “一箭四星”发射；

◆ 2013年5月2日，我国成功发射了中星11号卫星。该卫星是我国目前自研民商通用卫星中转发器数量最多、载荷功率最高、重量最大的通信卫星；

◆ 2013年8月21日，实践9号A、9号B新技术试验卫星在北京举行交付仪式。它们在轨取得了中国航天技术多项第一，首次实现了电推进等核心部组件在轨试验；

◆ 2013年12月2日，嫦娥三号月球探测器搭载长征三号乙火箭发射升空；

◆ 2013年12月21日，我国成功发射“玻利维亚通信卫星”。该卫星是我国航天向国际用户出口的第5颗国产通信卫星。

载人航天再铸辉煌

2013年6月11日，我国成功发射了神舟10号载人飞船，将男航天员聂海胜、张晓光和女航天员王亚平送入天宫1号目标飞行器组成。

神舟10号总共完成了四大任务：一是为天宫1号提供了人员和物资天地往返运输服务，进一步考核了交会对接技术和载人天地往返运输系统的功能性能；二是进一步考核了组合体对

航天员生活、工作和健康的保障能力，以及航天员执行飞行任务的能力；三是进行了航天员空间环境适应性和空间操作工效研究，开展了空间科学实验和航天器在轨维修等试验，首次开展我国航天员太空授课活动；四是进一步考核了工程各系统执行飞行任务的功能、性能和系统间协调性。

在天宫1号实验舱内进行的太空授课，是天宫1号与神舟10号任务最大的亮点。航天员王亚平担任主讲，聂海胜辅助授课，张晓光担任摄像师，地面课堂设在中国人民大学附属中学。

在圆满完成预定任务后，神舟10号航天员于6月26日安全返回地面。他们共在太空生活和工作了15天，这是目前我国载人航天活动时间最长的一次，也是我国航天员承担各类任务最多的一次。

自此，我国载人航天三步走的第二步第一阶段圆满结束。

“上九天揽月”梦想成为现实

12月2日1时30分，嫦娥三号月球探测器搭载长征三号乙火箭发射升空。这是继2007年嫦娥一号、2010年嫦娥二号之后，我国发射的第3颗月球探测器。它是首颗月球软着陆探测器。

12月14日21点11分，嫦娥三号探测器历经12天、38万公里的航程后，在月球虹湾地区成功实现软着陆。这短短12分钟720秒意义重大：世界上第一个实现月球软着陆的国家前苏联直到尝试12次才获成功，美国也是在总结3次失败经验后才平安着陆，而中国首次实施地外天体软着陆就获得成功。这还意味着，中国航天器实现了首次地外天体软着陆和月面巡视探测，我国成为全世界第三个实现月面软着陆的国家。中国终于成功加入国际“深空探测俱乐部”，有权与发达国家共享月球资源。

嫦娥3号任务突破了月球软着陆、月面巡视勘察、深空测控通讯与遥操作、深空探测运载火箭发射等一系列关键技术，实现了七大创新。

“嫦娥”成功落月，“玉兔”信步虹湾，五星红旗闪耀月球。从“神舟”的十全十美，到“嫦娥”的三战三捷，中国航天技术取得了跨越式发展，一次次刻下中国坐标，一回回托举中国高度，一遍遍见证中国创造。

（编辑：莫林）

直入云霄意思及造句篇二
《10.直入直出单A1-i》

直入云霄意思及造句篇三
《离子直入装置用语》

离子直入装置用语

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D4401 Ion implanter离子注入机 是指对具有运动能量的离子加以照射，为能将试料的物性加以控制的装置。此一装置是由离子源，提取电极系统，质量分析系统，注入室等所构成。

D4402 Low energy ion implanter低能量离子注入机 是指离子能量（1价离子）的最大值，在10Kev以下的离子注入装置。

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D4403 Medium energy ion implanter中能量离子注入机 是指离子能量（1价离子）的最大值，超过10Kev而在250Kev以下的离子注入装置。

D4404 Low current ion implanter小电流离子注入机 是指线束电流量的最大值，未超过0.5mA的离子注入装置。

D4405 Medium current ion implanter中电流离子注入机 是指线束电流量的最大值，在0.5mA ~ 5mA的离子注入装置。

D4406 High current ion implanter 大电流离子植入机 系指线速电流的最大值，在5Ma以上的离子植入装置。

D4407 High energy ion implanter 高能量离子植入机 系指离子能量（1价离子）的最大值，超过250Kev的离子植入装置。

D4410 Ion source离子源 系形成各种元素等离子体的部分。因放电种类的不同，有直流型、高频波型以及微波型，目前最适用者为弗里曼型，系属于直流型。此一离子源，系利用由磁场中的灯丝所放出的热电子，来形成离子。

D4411 Ion implantation离子植入，离子移植 系指将被加速离子植入半导体基片的方法。通常利用硼（B），磷(P)，砷(As)等离子，作为引进用杂质。其控制性与再现性相当优异，被广泛用作取代以往的热扩散法，作为半导体基片的杂质导入法。

D4412 Ion beam离子束 系指将无秩序状态的离子，加以控制而获得有方向性且步调一致的离子流。中性的原子或分子，当失去电子而被离子化状态下，各个离子系未具有方向性，且有无秩序的举动。

D4413 Mass resolution质量分解力 系指在质量分析系统中，能将质量数很接近的2种以上的离子，加以分离的能力限度。质量分解力可以质谱上线速电流量的半值宽，与其离子质量数的比来表示

D4414 Wafer-to-wafer dose uniformity晶圆间离子植入的均质型 系在同一植入条件下，对多数晶圆片进行植入离子，经算出每一片晶圆的平均面电阻系数，根据此一电阻系数求得各晶圆片的偏差值者。亦称为再现性，同为重要的评价项目。

D4415 Wafer twist 晶圆扭转 系将晶圆片上置于晶缘固定板(platen)上时，由基准位置将主定向平面(orientation flat)，以晶圆面中心点为轴，加以旋转一定角度。此一角度称为扭转角(twist angle)。

D4416 Wafer disk晶圆圆盘 系指为能使晶圆可以分批处理，能将其数片~十数片，加以装填的圆盘。为要确保离子注入的均质性，与为避免因热损及晶圆，可以使其高速旋转又可同时作业并进运动。

D4417 Wafer tilt晶圆倾斜 系指当进行离子注入的际，将晶圆加以倾斜者。由晶圆中心竖立的法线达到晶圆中心的线速所成角度，称为倾斜角。

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D4418 Wafer dose uniformity晶源离子注入均质性 系指当晶圆被注入杂质的离子时，为表示晶圆内究竟注入何种程度均质性的指针。就其评价方法而言，通常在退火后，经由4探针法，在晶圆面内进行数十点的面电阻系数分布测试，经由统计处理求得偏差值。

D4419 Wave guide 离子波束引导管（腔），导波管 系指在质量分析系统中，为时离子波束中通过,所设置的真空腔(vacuum chamber)。为防止有不必要波束的碰撞削去其内壁，设置有内衬保护板(liner)者为数不多。

有时亦称为分析管(腔)。

Analyzing chamber 分析管（腔）

D4420 Energy contamination 能量污染，杂质能量 系指离子能量位在可作目标值以外的离子能量总称。因离子与残留气体（中性粒子）的碰撞，经电荷交换所产生离子，或分的离子的分解所产生离子，变成非目标能量而植入晶圆者。

D4421 Electron suppressor电子抑制器 系指当将离子植入靶子的过程中，将与各种电极或孔径相碰撞。籍电场或磁场将该时产生二次电子，不至于从产生地点泄漏到外界的机构。为要抑制产生二次电子所加的称为偏压。

Base偏压

D4422 Electron flood gun淹没式电子枪，电子流枪 系指对晶圆植入离子时，为防止在晶圆片上产生正电荷(charge up)，可对晶圆提供低能量电子，籍以中和的机构。有时亦称为电子(electron show)流枪，或电子障壁。

D4424 Orientation flat aligner / flat orientor定向平面对准器 系指将晶圆搭载于晶圆固定板的际，将晶圆的定向平面(orientation)，或将缺口(notch)加以对准所定位位置的机构。由此对准器可以决定离子植入时的扭转角(twist angle)，与晶圆倾斜(wafer tilt)共同决定离子植入晶圆时的入射角度。

D4425 Rotational implant 旋转式（离子）植入 系指将晶圆依其经晶圆面中心点为轴，作为旋转进行的离子植入。有时离子植入中晶圆并不旋转，植入一定量后加以旋转一定角度，然后再继续植入者，称为步进旋转植入法。

D4428 Acceleration tube加速管 系指经由加速方式，设置在分析系统先后，可给与离子能量的管子，系由绝缘物与电极所构成，通常是属多段构造。对各电极施加以分割的加速电压，由形成在电极间的电场来加速离子。

D4429 Acceleration voltage加速电压 系指为能对经由提取电压所加速的离子，给予一定离子能量，对加速管所施加的电压。离子能量可加速电压与提取电压的总和，及离子价数来决定。

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D4431 Cross contamination交互污染 系指经由离子注入装置构成材料的污染。是由晶圆保持夹以及晶圆附近的金属制品等，受到离子波束的溅射，而引进晶圆内部的污染者。在同一装置内一连串不同制程间，各个制程所使用瓦斯或生成物，污染到其它制程环境者。随着组合设备工具(cluster tool )的普及，此一用语的使用日益增多。

D4433 Post acceleration system后段加速系统 系指在质量分析系统的前，将以20-40 Kev 的低加速能量给予离子波束，而在质量分析系统的后，加速至所需要能量的方式，后段加速方式可以小型的质量分析磁铁，可实现较高能量的 离子注入。

D4435 Solid vaporizer固体蒸发源 系指要产生的际，可搭配与离子源而被用作固试料的蒸发源。试料在真空中被加热器加热至数百度oC,变成蒸汽而被引进等离子形成室。主要从安全性的观点，此一固体蒸发大都用作替代有毒瓦斯。

D4436 Contamination level污染量 系指关于晶圆中的注入量，经由SIMS,原子吸光分析等的定量分析，可利用下述数式来计算。污染量[%，ppm]=混进离子的注入量（atoms/cm3） 所盼离子的注入量( atoms/cm3 )就离子注入装置而言，有时也可用混进离子波束电流，与所分离子波束电流的比值来表的。

D4439 Deionized water cooling 去离子水冷却 系指对离子注入装置的高电压端内，及终端站系统的去离子水冷却，去离子水冷却因具有绝缘性甚佳为由被用来替代氟氯烷(freon),而被普遍使用。若考量耐电压或波量测错误有必要将去离子水的比电阻作适当的管理。

D4440 Scanned beam current扫描波束电流 系指以离子波束加以扫描，使其注入晶圆时的波束电流值。以离子波束加以扫描时，离子波束因受离子注入装置遮光罩的限制，仅被限制领域的离子到达晶圆，成为较点状(spot ) 照射为少的电流值。

D4442 Preacceleration system前置加速系统 系指从离子源被提取的离子波束，在质量分析系的前，给予必

要的加速能量，经质量分析后，对靶子注入离子的方式。

D4443 Ion source magnet离子源磁铁 系指以协助原子，分子的电离为目的，而对离子源施加磁场的磁铁。大都被当作正交电磁场或不均一磁场（镜面磁场）来使用。其磁场的强度以离子源的种类而定。 编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D4444 Tandem electrostatic accelerator 串接静电加速器 将置于大地电位的离子源，所产生的负离子，经由静电场加速后面向正电位的高压部，又被设在该部的电荷变换器换成正离子，然后再面向大地电位，进一步被静电场加速，而获得所需要能量离子加速方式的离子植入装置。系为形成高能离子时使用。

D4445 Channeling穿隧效应/沟道效应 若沿着结晶轴或结晶面，将离子加以照射时，大多数离子不会与结晶中的原子核或电子碰撞，而侵入到结晶内部。此一过程称为穿隧效应（channeling）。离子沿着结晶轴侵入者，称为轴穿隧效应，离子沿着结晶面侵入者，称为面穿隧效应。

D4446 Charge up 充电，使绝缘物带电 系指注入离子中，晶圆片上的绝缘物会带电的情况。为此组件在离子植入中，有时会劣化甚至被破坏。为防止这一情形发生，大都设有淹没式电子枪（ electron flood gun）. D4447 Implant chamber离子植入室 系指对晶圆进行离子植入的处理室。当植入离子时，为避免室内某瓦斯原子与离子加速，因碰撞所产生中性粒子，被打进晶圆内而产生离子植入量有维持高真空的必要。为达成高生产量（high throughput ）,亦准备真空预备室或2套离子植入室的设备。有时亦可称为处理室或打靶室。

Process chamber处理室

Target chamber 打靶室

D4448 Muliple tilt angle implantation多倾斜角植入 系指植入离子的际，对一片晶圆将倾斜角多次边变换边进行离子植入者。再离子植入中倾斜角系被固定，植入一定量后，再移至下一个倾斜角继续进行注入。通常在植入中。晶圆系连续在旋转。

D4449 Acceptable wafer size适用晶圆尺寸 系指装置所能处理的晶圆尺寸。因受到终端站机构等限制，可进行注入处理的晶圆大小，就受到限制。通常，可处理晶圆的直径以被称呼的直径表的。

D4450 Dose剂量 系指植入试料或被植入每单位面积的离子数目。

D4451 Hybrid scan混合式扫描 系指可将波束扫描（静电扫描，磁铁扫描），与机械式扫描加以搭配，可得离子植入很均匀的扫描方式。例如X方向的扫描，系将晶圆盘高速加以旋转，同时利用电场或磁场，将离子波束就Y方向加以扫描。

D4452 Batch-to-batch dose uniformity 批次间的注入均质性 基本上系与晶圆间的注入均质性（再现性）同一意义。以批处理进行注入离子的场合，每一批搭载有评价用晶圆，与晶圆间均质性的场合同样，可以求得各批次间的偏差。

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D4453 Parallel beam平行波束 系指将离子波束加以扫描植入时，对晶圆表面的入射角，系属于相同的离子波束。此一离子波束可分为两次元平行化加以扫描的方式，与一次元平行化的混合方式。

D4454 Beam stability波束安定性 系指在产生离子波束的状态下，表示装置安定性的指针。当操作人员没有操作装置的状态下，在一定时间内以波束电流的变动量表的。

D4455 Beam energy波束能量 系指构成离子波束，其离子本身所具有的能量。特别关于靶极，系指离子波束所具有运动能的情形较多。此时，离子系以波束能量被注入试料中。

Ion energy离子能量

D4456 Beam focusing system 系为要聚焦离子波束，具有透镜作用的部分装置总称。此一波束聚焦系统，有静电电极透镜，静电4重极透镜，磁场透镜，及磁场4重极透镜等等。

D4457 Beam current波束电流 系指将离子波束的量，以离子在单位时间搬运的电荷量，亦即以电流来表示者。特别关于靶极，系指照射于试料的离子波束量。由多价离子所构成离子波束的场合，有以电流量本身来表示的场合，与以其离子的价数除以电流量的商值来表示的场合，分别以eA(electri campere)及pA(parti

cle ampere)表的。

Ion current离子能量

D4458 Beam filter波束滤波器 关于植入多价离子时，为去除因离子波束与残余瓦斯间的碰撞，而产生低能量成分，所增设适当位障（potentail barrier )的机构。多价离子的植入，系在有必要对装置注入最大加速电压以上的能量时使用。

D4459 extraction voltage提取电压 为要提取在离子源所产生的离子，是指在离子源与提取电极的系统间，所施加的电压，经此一电压，可决定从离子源所提取的离子能量。

D4460 Extraction electrodes提取电极 是指与 电弧室缝隙相面对为要将离子源所产生的离子，加以提取出来的电极。为要使离子波束具有聚焦作用，通常是由2片电极所构成。

D4461 Faraday system法拉第系统 是指由连接到抑制电极及电流积分器的法拉第帽极，及靶极等所构成，可以用来将入射靶极的离子波束电流量，加以检测出来的装置。因二次放射电子经电子抑制器，又会回到法拉第帽极，电流量测试不致产生误差。

D4462 Platen晶圆固定台 是指单片晶圆处理的 终端站，将被送到达的晶圆加以保持住，且将晶圆设定到晶圆台，通常圆晶圆固定台有冷媒循环，将晶圆加以冷却。此外，固定晶圆的 固定台，在离子注入时，将成为法拉第系统的一部分，而发挥其功能。

编号 用语（英文/中文） 用 语 说 明

D4463 Resolving aperture鉴别孔隙 是指位于分析磁铁的焦点位置，是为挑选所离子种类的 缝隙。缝隙的大小成为质量分析上，可决定分解能力的重要因素。

D4464 Analyzing magnet分析磁铁 是指从包含有各种离子波束中，仅可将必要的离子中加以提取出来的磁铁。不同离子中在磁场内，各个依从其运动量而描述不同的轨道。利用此一特性，经由调整分析磁铁的磁场强度，仅可将所要的目标离子挑选出来。

D4465 Mask孔板，障板 是指当以 扫描离子波束植入离子时，为要决定植入领域，配置在法拉第系前的孔径。其孔径尺寸可选取其扫描领域能覆盖包含晶圆周围数mm即可。

D4466 Mechanical scan机械式扫描 是将离子波束加以固定，将装填多数片晶圆的圆盘，对X,Y方向作机械式扫描，可获得注入很均匀的扫描方式。就一般而言，将旋转圆盘作上下或左右并进运动。

D4467 Radio frequency linac accelerator高频线性加速器 系将离子源引出的离子，利用高频所加速方式的离子注入装置。在大地电位的短小线束中，较低的电压经由高频（RF），反复多数次将离子加以加速，可以形成MeV位阶的高能离子。此一加速器有将多数RF线性加速方式，与以单一四重极将离子反复加以加速与聚焦RFQ型加速方式。

Radio frequency quadrapole accelerator高频四重极加速器

D4468 Plasma flood gun 淹没式等离子枪 系指具有与淹没式电子枪（electron flood gun）同样的目的，能对产生在晶圆上的正电荷加以中和的机构。系利用等离子体仅将低能量的电子，加以引进晶圆上。与淹没式电子枪比较，较不容易产生过剩的电子。

D4469 Final engry magnet终极能量磁铁 系指仅将作为目的能量的离子束，加以一定角度偏向的磁铁。其原理数以分析磁铁同样，此一目的系为去除能量污染（energy contamination）而设。

直入云霄意思及造句篇四
《用引人入胜造句》

用引人入胜造句：

1、看着满眼的湖光山色,真是引人入胜啊!

2、黄果山大瀑布的景色真是引人入胜啊！

3、妈妈讲的故事精彩分层，我太入迷了，真是引人入胜呀！

4、苏州园林，格局很小，却总是那么引人入胜。

5、千年的古都风景秀丽引人入胜，举目尽是琼楼玉宇。

直入云霄意思及造句篇五
《答谢中书书》

教 案 设 计

直入云霄意思及造句篇六
《writing skills》

直入云霄意思及造句篇七
《writing skills》

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