内存条与主机不兼容怎么解决

导读：　内存条与主机不兼容怎么解决(共4篇)怎样解决内存条与系统不兼容的问题怎样解决内存条与系统不兼容的问题内存与主板不兼容的故障较为常见，表现为昨天电脑还用的好好的，可是今天早晨一开机，即“嘀嘀”地叫个不停。只有打开机箱，把内存条取下来重新插一下就好了。注意：在拔插内存条时一定要拔掉主机和电源线，防止意外烧毁内存。这是故障轻的，严重的话，需...

本文是中国招生考试网（www.chinazhaokao.com）成考报名频道为大家整理的《内存条与主机不兼容怎么解决》，供大家学习参考。

篇一:《怎样解决内存条与系统不兼容的问题》

怎样解决内存条与系统不兼容的问题

内存与主板不兼容的故障较为常见，表现为昨天电脑还用的好好的，可是今天早晨一开机，即“嘀嘀”地叫个不停。只有打开机箱，把内存条取下来重新插一下就好了。注意：在拔插内存条时一定要拔掉主机和电源线，防止意外烧毁内存。这是故障轻的，严重的话，需要把几个内存插槽都擦拭好几遍，才能把机子点亮。可是用不了十天半个月，就又会再出现报警的情况。只要你打开机箱把内存插一下就又好了。你说机器有问题，只要点亮了，就是连续运行十天半个月的一点问题也没有。可老是报警这谁也受不了。这种情况就是典型的内存与主板不兼容。

造成这种故障的原因有：

⑴ 内存条不规范，内存条有点薄。当内存插入内存插槽时，留有一定的缝隙。如果在使用过程中有振动或灰尘落入，就会造成内存接触不良，产生报警。

⑵ 内存条的金手指工艺差，金手指的表面镀金不良。在长时间的使用过程中，金手指表面的氧化层逐渐增厚，积累到一定程度后，就会致使内存接触不良，开机时内存报警。 ⑶ 内存插槽质量低劣，簧片与内存条的金手指接触不实在，在使用过程中始终存在着隐患，在一定的时间就会点不亮，开机报警。

⑷ 再就是纯粹的不兼容情况:一款条子，在有的主板上用得

好好的，但是到了这块主板上却经常死机，或者不能正常启动。这就是典型的不兼容情况。

处理方案：⑴ 用橡皮仔细地把内存条的金手指擦干净，重新插入插槽。

⑵ 用热熔胶把内存插槽两边的缝隙填平，防止在使用过程中继续氧化。

⑶ 如果使用一段时间以后，还出现报警，这时可先更换一下内存条，看在以后的使用过程中是否还出现报警。

⑷ 如果过一段时间以后还有内存报警出现，这时只有更换主板，才能彻底解决问题。

对于内存条与主板因为技术问题不兼容的情况，只能更换其他品牌的内存条，当然也可以换主板。

篇二:《解决内存不兼容的故障》

解决内存不兼容的故障

作者：名剑山庄发表于：计算机应用文摘 2008-01期

前言 新加内存，系统频繁重启为哪般

修改SPD，内存完美兼容组双通

在有的平台上（特别是AMD的平

台），如果使用不同品牌，甚至是同品牌

不同批次的内存，都会出现玩游戏死机、返回文章首页

重启等问题。

新加内存，系统频繁重启为哪般

当年为了省钱，在装机时没有直接配备1GB内存，而仅装了一根512MB的DDR内存（单通道），让我的Athlon64 3000+徒叹奈何。最近内存大降价，我又“抢”回了一根512MB内存。

我的主板是杂牌的nForce4，而原来的内存是金士顿DDR400 512MB。为了避免兼容性问题，在买内存的时候我特意把“老”内存带去，让商家帮我测好可以顺利启动电脑，开机启动信息也显示的是“Dual Channel”（双通道），这才乐滋滋地买了内存回家。

不过，回在家里后却出了问题……。我打开平时最爱玩的《魔兽世界》，心想今天才上了1GB双通道，好好玩一玩吧！可没成想，游戏运行不久就黑屏。我开始以为是偶然现象，哪知重启系统之后，问题依然存在。

两条内存的SPD信息并不一样

在经历了N次系统重启的打击后，我才想起用CPU-Z来查看内存信息。结果两条内存显示的SPD信息大相径庭：新内存在200MHz运行时（也就是DDR400），CL=3，而老内存此时则是CL=2.5，总之在相同频率下，两根内存并没有同步工作，难怪系统老是出问题呢！

问题找到了，可是怎么解决呢？找商家换？这样的理由不是很充分，而我总不能把机箱抱到电脑城现场演示吧？在主板的BIOS设置中手动设置内存参

数？我的这块杂牌nForce4主板压根就不提供这样的功能。就在我一筹莫展的时候，在PCD上看到的一篇BIOS刷新的文章提醒了我——SPD就像是内存的

BIOS，能不能够刷新SPD让这两条内存同步工作，解决兼容性问题呢？功夫不负有心人，在网上搜索一番，还真让我找到了一款可以修改内存SPD信息的小软件——Thaiphoon Burner。

12内存条与主机不兼容怎么解决。

修改SPD，内存完美兼容组双通

Thaiphoon Burner不仅可以用于读取内存的SPD芯片信息，还能够直接重写SPD信息。为了安全起见，我要将新内存的SPD信息写入老内存中，以获得最大的兼容性（当然，也可以将老内存的SPD信息写入新内存中）。

在复制内存SPD信息的时候，请尽量做到将性能稍差的一根内存的SPD信息，复制到性能较好的一根内存上。这么做，可以避免因内存品质不同，而造成的不稳定现象。

1.复制内存信息

下载Thaiphoon Burner，解压缩后直接运行即可进入主界面。点击工具栏的Read图标，选择要读取的SPD信息。Read SPD at 50h即为读取DIMM1（新内存）上的SPD信息，Read SPD at 51h即为读取DIMM2（老内存）上的SPD信息。

首先读取DIMM1上的SPD，单击Save图标将SPD信息保存为扩展名为thp的文件：01.thp。接下来读取并保存DIMM2(老内存）上的SPD信息，文件名为：02.thp，这一步操作主要是为了以备万一—如果刷新失败，还能够再重刷回去。

复制内存SPD信息

2.刷新SPD，让内存和平共处

分别保存好两条内存的SPD文件后，单击Open图标，调入新内存的SPD文件01.thp。然后再单击Write图标，选择Full Rewrite（全部改写），这时会出现一个写入时的选项对话框。

在这里，系统默认写入是50h DIMM槽，即新内存。由于我要刷新的是老内存，因此要手动将50改为51，即刷新在DIMM2槽上的老内存。在修改完毕后，单击“Write”按钮开始刷新。刷新大概需要30秒钟的时间。写入完成后，重启电脑即可。

点击Write即可刷新

就这样，把新内存的SPD信息“克隆”到老内存上后，我的系统再也没有出现过频繁重启的问题了，两条内存也完美地运行在双通道下……

篇三:《两根内存不兼容要怎么办》

两根内存不兼容要怎么办.txt生活，是用来经营的，而不是用来计较的。感情，是用来维系的，而不是用来考验的。爱人，是用来疼爱的，而不是用来伤害的。金钱，是用来享受的，而不是用来衡量的。谎言，是用来击破的，而不是用来装饰的。信任，是用来沉淀的，而不是用来挑战的。一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置

首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：

Command Per Clock(CPC)

可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。

Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。

显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。

该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL)内存条与主机不兼容怎么解决。

可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。

一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。

CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。

内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。 该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。

RAS# to CAS# Delay(tRCD)

可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS# to CAS# Delay(也

被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。

如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。 Min RAS# Active Timing(tRAS)内存条与主机不兼容怎么解决。

可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。 该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS# Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。

如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。

如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00，或者5-10之间的值。

Row Precharge Timing(tRP)

可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。

tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。内存条与主机不兼容怎么解决。

如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。

Row Cycle Time(tRC)

可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。

Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。

其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。 在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如

果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。

Row Refresh Cycle Time(tRFC)

可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。

Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。

如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。 Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)

可选的设置：Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。

Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行单元到行单元的延时"。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。

延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。

如果使用DFI的主板，则tRRD值为00是最佳性能参数，4超频内存时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。

Write Recovery Time(tWR)

可选的设置：Auto，2，3。

Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。

如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2；如果使用DDR333或DDR400，则将tWD值设为3。如果使用DFI的主板，则tWR值建议为2。

Write to Read Delay(tWTR)

可选的设置：Auto，1，2。

Write to Read Delay (tWTR)，表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。

tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加tWTR值，可以让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为1；如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定，则改为2。

Refresh Period(tREF)

可选的设置：Auto， 0032-4708，其步进值非固定。

Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指内存模块的刷新周期。

先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位：微秒，即：一百万分之一秒)。?号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。

1552= 100mhz(?.??s)

2064= 133mhz(?.??s)

2592= 166mhz(?.??s)

3120= 200mhz(?.??s)

---------------------

3632= 100mhz(?.??s)

4128= 133mhz(?.??s)

4672= 166mhz(?.??s)

0064= 200mhz(?.??s)

---------------------

0776= 100mhz(?.??s)

1032= 133mhz(?.??s)

1296= 166mhz(?.??s)

1560= 200mhz(?.??s)

---------------------

1816= 100mhz(?.??s)

2064= 133mhz(?.??s)

2336= 166mhz(?.??s)

0032= 200mhz(?.??s)

---------------------

0388= 100mhz(15.6us)

0516= 133mhz(15.6us)

0648= 166mhz(15.6us)

0780= 200mhz(15.6us)

---------------------

0908= 100mhz(7.8us)

1032= 133mhz(7.8us)

1168= 166mhz(7.8us)

0016= 200mhz(7.8us)

---------------------

1536= 100mhz(3.9us)

2048= 133mhz(3.9us)

2560= 166mhz(3.9us)

3072= 200mhz(3.9us)

---------------------

3684= 100mhz(1.95us)

4196= 133mhz(1.95us)

4708= 166mhz(1.95us)

0128= 200mhz(1.95us)

如果采用Auto选项，主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息，系统会自动根据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。如过要追求最优的性能，则需手动设置刷新周期的参数。一般说来，15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存（即单颗容量为16MB的内存），而7.8us适用于基于256兆位内存芯片的内存（即单颗容量为32MB的内存）。注意，

如果tREF刷新周期设置不当，将会导致内存单元丢失其数据。

另外根据其他的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit。阵列中的每个bit都能被随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15.6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6?s x2048行=32ms。 如果使用DFI的主板，tREF和tRAS一样，不是一个精确的数值。通常15.6us和3.9us都能稳定运行，1.95us会降低内存带宽。很多玩家发现，如果内存质量优良，当tREF刷新周期设置为3120=200mhz(?.??s)时，会得到最佳的性能／稳定性比。

Write CAS# Latency(tWCL)

可选的设置：Auto，1-8

Write CAS Latency (tWCL)，表示“写指令到行地址控制器延时”。SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。tWCL表示写入的延迟，除了DDRII，一般可以设为1T，这个参数和大家熟悉的tCL（CAS-Latency）是相对的，tCL表示读的延迟。

DRAM Bank Interleave

可选的设置：Enable， Disable

DRAM Bank Interleave，表示“DRAM Bank交错”。这个设置用来控制是否启用内存交错式(interleave)模式。Interleave模式允许内存bank改变刷新和访问周期。一个bank在刷新的同时另一个bank可能正在访问。最近的实验表明，由于所有的内存bank的刷新周期都是交叉排列的，这样会产生一种流水线效应。

虽然interleave模式只有在不同bank提出连续的的寻址请求时才会起作用，如果处于同一bank，数据处理时和不开启interleave一样。CPU必须等待第一个数据处理结束和内存bank的刷新，这样才能发送另一个地址。目前所有的内存都支持interleave模式，在可能的情况下我们建议打开此项功能。

对于DFI主板来说，任何情况下该设置都应该是Enable，可以增大内存的带宽。Disable对将减少内存的带宽，但使系统更加稳定。

DQS Skew Control

可选的设置：Auto，Increase Skew，Decrease Skew

DQS Skew Control，表示“DQS时间差控制”。稳定的电压可以使内存达到更高的频率，电压浮动会引起较大的时间差（skew），加强控制力可以减少skew，但相应的DQS（数据控制信号）上升和下降的边缘会出现电压过高或过低。一个额外的问题是高频信号会引起追踪延迟。DDR内存的解决方法是通过简单数据选通脉冲来增加时钟推进。

DDRII引进了更先进的技术：双向的微分I/O缓存器来组成DQS。微分表示用一个简单脉冲信号和一个参考点来测量信号，而并非信号之间相互比较。理论上提升和下降信号应该是完全对成的，但事实并非如此。时钟和数据的失谐就产生了DQ-DQS skew。

如下图所示。

对于DFI主板来说，建议设置为Increase Skew可以提升性能，而Decrease Skew在牺牲一定性能的情况下，可以增加稳定性。

DQS Skew Value

可选的设置：Auto，0-255，步进值为1。

篇四:《电脑内存不足怎么办？非常卡怎么办》

内存条现在开始平谊了，电脑要不断地升级，才能赶在形势，2G的内存条也平谊了，每条大概￥120。00，内存量越大电脑的速度也就越快，建议你内存要4G。
内存条的牌子不同，不管容量大小都就不能混在一起用，性能指标不一至，不兼容。

内存的性能指标

评价内存条的性能指标一共有四个:
(1) 存储容量:即一根内存条可以容纳的二进制信息量，如目前常用的168线内存条的存储容量一般多为32兆、64兆和128兆。电脑内存不足怎么办？非常卡怎么办。 而DDRII3普遍为1GB到2GB。
(2) 存取速度(存储周期):即两次独立的存取操作之间所需的最短时间，又称为存储周期，半导体存储器的存取周期一般为60纳秒至100纳秒。
(3) 存储器的可靠性:存储器的可靠性用平均故障间隔时间来衡量，可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。
(4) 性能价格比:性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容，性能价格比是一个综合性指标，/>
建议你用DDR3，优势是:

(1)功耗和发热量较小:吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高:由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本:DDR2显存颗粒规格多为16M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。电脑内存不足怎么办？非常卡怎么办。而DDR3显存颗粒规格多为32M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。
(4)通用性好:相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。

目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。 现在许多低端的显卡也有采用DDR3显存的

造成打开网页速度慢有多种原因:

1、 如果网速低也有影响，换个时间吧。
2、 硬件配置不足，内存较小、CPU较差，建议升级电脑。内存条起码要2G。
内存条实物图内存条是连接CPU 和其他设备的通道，起到缓冲和数据交换作用。 当CPU在工作时，需要从硬盘等外部存储器上读取数据，但由于硬盘这个[仓库"太大，加上离CPU也很[远"，运输[原料"数据的速度就比较慢，导致CPU的生产效率大打折扣!为了解决这个问题，人们便在CPU与外部存储器之间，建了一个[小仓库"―内存。
3、 电脑因长期使用中定能存在大量的垃圾、缓存中有大量的临时文件，也会造成运行速度、上网速度慢，建议你用[360安全卫士"对系统垃圾和缓存文件删除进行清除，也可推荐你安装、使用鲁大师进行一键优化。鲁大师还可以对电脑主机硬件进行温度测试等等。
4、 电脑可能中了，木马病毒会导致CPU使用率极高，甚至CPU使用率达到100%，这时候你就要采取杀毒的操作，可使用免费的[360软件"杀毒，有需要者可下载其他杀毒软件对电脑进行全盘扫描清除病毒。
5、 PF使用率偏高，部份网页就打不开。解决方法:<1>增加内存。<2>减低电脑使用率，如:只用一个QQ上网，暂不使用其它软件；特别是你在运行大型的游戏中，或同时使用多个软件，会导致内存不足，也会造成电脑运行中和上网速度慢的主要原因，建议关闭他们。
电脑的PF使用率太高，PF值超过466为偏高，建议你设置合适的虚拟内存。
最常见的打开方法:
方法一、在卓面的工具兰上右击，点击→[任务管理器]，弹出[Windows任务管理器]，点击→[性能]，你就可以看到PF使用率和CPU使用率的值。
方法二、同时按下[Ctrl+Alt+Del"组合键，弹出的只是[Windows安全]窗口，必须选择[任务管理器]才能够打开。
设定虚拟内存:
硬盘中有一个很宠大的数据交换文件，它是系统预留给虚拟内存作暂存的地方，很多应用程序都经常会使用到，所以系统需要经常对主存储器作大量的数据存取，因此存取这个档案的速度便构成影响计算机快慢的非常重要因素!一般Windows预设的是由系统自行管理虚拟内存，它会因应不同程序所需而自动调校交换档的大小，但这样的变大缩小会给系统带来额外的负担，令系统运作变慢!有见及此，用户最好自定虚拟内存的最小值和最大值，避免经常变换大小。
设定虚拟内存步骤:
右击→[我的电脑]→[属性]→[高级]→[效能]的对话框中，对[虚拟内存"进行设置。
最低设置为你现在的物理内存相等，和你的真实内存一样就行，一般是设置为物理内存的1。5倍或2倍为好，虚拟内存的设置不要太高，最高设置成1024MB，也就是两倍，是最佳的设置。
如内存1G，可以设置为1536M(1。5倍)；2G的话，可以设置为2048M 提问者评价 3Q 相关热词搜索：内存条不兼容怎么解决 主机内存条